电子元器件的可靠性是电子装备可靠性的基础,通过电子元器件的失效分析确定其失效机理,找出失效原因,反馈给客户,研究纠正措施,提出改进设计和制造工艺的建议,防止失效的重复出现,提高元器件和整机的可靠性。
实验室依托中测院在电学计量测试领域的传统优势,建立了先进的电子元器件电学参数检测、无损检测、显微形貌、失效点定位、表面元素分析等失效分析能力,与从多家事芯片设计的科研院所及电子元器件制造企业建立了广泛的技术合作与业务联系,具备面向电子元器件设计、制造、销售、使用企业开展电子元器件失效分析服务的能力。
服务对象:
为元器件生产商、组装厂、器件代理商、整机用户提供集成电路、场效应管、二极管、发光二极管、三极管、晶闸管、电阻、电容、电感、继电器、连接器、光耦、晶振等各种有源/无源器件的失效分析服务。
失效分析价值:
1、为元器件设计、工艺改进和使用提供依据,提高产品成品率及使用可靠性,提升企业核心竞争力;
2、找出电子元器件失效原因,明确引起产品失效的责任方;
3、筛选优质元器件。
失效分析手段:
1、电学参数检测(E-FA):
连接性测试、电参数测试、功能测试
2、无损检测:
X-ray透视技术、三维CT成像检测技术、超声波扫描显微镜检测(C-SAM)
3、制样:
开封技术(机械开封、化学开封、激光开封)
去钝化层技术(化学腐蚀去钝化层、等离子腐蚀去钝化层、机械研磨去钝化层)
微区分析技术(FIB)
4、显微形貌分析:
金相显微镜、扫描探针显微镜、膜厚测试、粗糙度测试
5、失效点定位:
显微红外热成像、微光显微镜 (EMMI)
6、表面元素分析:
扫描电镜及能谱分析(SEM/EDX)
7、失效复现/验证
案例展示:
IGBT失效分析
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